ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Рассмотрен бесконтактный метод определения фоточувствительности в локальной области пластины кремния с p-n переходом. Показана возможность его применения для раздельного определения времени жизни неравновесных носителей заряда в объеме пластины и скорости их рекомбинации на её тыльной стороне.