|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Исследование методом спектроскопии фотоотражения механических деформаций и плотности зарядовых состояний в слоях LT-GaAs/Si(100)доклад на конференции
- Авторы: Боков П.Ю., Деев П.М.
- Всероссийская Конференция : 18 Всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
- Даты проведения конференции: 28 ноября - 2 декабря 2016
- Дата доклада: 28 ноября 2016
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Санкт-Петербург, Russia
- Добавил в систему: Боков Павел Юрьевич