ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Подавление аномалии диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика триглицинсульфата длительным облучением микроволнами низкой интенсивности изучалось слежением за динамикой доменной структуры кристалла в сопоставлении с облучением.