|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Спинодальный распад в эпитаксиальной пленке твердого раствора GaAs0.7Se0.3. доклад на конференции
- Авторы: Шарков М.Д., Бойко М.Е., Конников С.Г., Бойко А.М., Бобыль А.В.
- Всероссийская с международным участием Конференция : L школа ФГБУ «ПИЯФ» по физике конденсированного состояния (ФКС-2016)
- Даты проведения конференции: 14-19 марта 2016
- Дата доклада: 15 марта 2016
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Санкт-Петербург Зеленогорск, Russia
-
Аннотация доклада:
На основе полученных данных МУРР показано, что в образце произошел спинодальный распад твердого раствора GaAs0.7Se0.3 на отдельные фазовые компоненты GaAs и GaSe. Посредством сравнения данных МУРР, полученных при разных величинах длины волны, была установлена связь между размерами и химическим составом, двух разных типов однородных фаз, формирующих исследуемую пленку GaAs0.7Se0.3. Оказалось, что в пленке образуется мозаичная сверхструктура. Определены пространственные характеристики и химический состав двух разных типов фазовых компонент изучаемого образца: доменов GaAs (ячейки размером примерно 350*350*25 нм) и GaSe (ячейки примерно 350*350*15 нм). Показано, что исследуемый образец может включать в себя компоненты с линейной геометрией, не содержащие атомов мышьяка.
- Добавил в систему: Бойко Михаил Евгеньевич