ИСТИНА

В настоящей работе будут показаны и проанализированы результаты исследований синтетических аналогов трех семейств медь-халькогенидных минералов – тетраэдритов, колюзитов и оуэнситов, описываемых простейшими формулами Cu12Sb4S13, Cu26V2Sn6S32 и Ba6Cu12Fe13S27. Будут обсуждены особенности из кристаллического и электронного строения, а также частичное замещение меди на переходные металлы первого ряда, приводящее к высоким значениям термоэлектрической добротности ZT=1, что сравнимо с материалами на основе теллурида висмута, и тем самым определяют высокий потенциал их применения для термоэлектрической генерации тока в среднетемпературном диапазоне. Особое внимание будет уделено роли валентных флуктуаций, локального электронного переноса и искажений кристаллической решетки в достижении эффективного транспорта носителей заряда и рассеянии несущих тепло фононов, а также продемонстрировано применение современных подходов к исследованию локального и протяженного строения термоэлектрических материалов. Перспективы дальнейшей оптимизации термоэлектрических свойств синтетических аналогов медь-халькогенидных минералов будут рассмотрены.