ИСТИНА

Ионно-пучковые технологии обработки материалов в настоящее время широко применяются для нужд микроэлектроники, фотоники, создания тонкопленочных структур. Одним из современных направлений является использование потоков ускоренных газовых кластерных ионов. Такой ион может содержать от сотен до нескольких тысяч атомов и переносить заряд, равный одному или нескольким элементарным. После ускорения кластерного иона напряжением в десятки кВ кинетическая энергия, приходящаяся на каждый атом кластера, составляет всего несколько единиц эВ. Это обуславливает необычные характеристики процессов, происходящих при столкновении кластера с поверхностью твердых тел. В докладе представлены результаты экспериментов по сглаживанию рельефа поверхности SiC пучками кластерных ионов Ar и Xe. Показана возможность создания упорядоченного нанорелефа на поверхности металлов посредством облучения кластерными ионами Ar.