ИСТИНА

В данной работе было проведено численное исследование структур двух геометрий при изменении в них концентрации носителей с помощью программного пакета Lumerical FDTD. Первая геометрия представляет собой субволновой массив цилиндрических отверстий, протравленных в структуре типа p-AlGaAs/i-GaAs/n-AlGaAs. Данная структура отличается сравнительной простотой изготовления. Во второй геометрии цилиндрические отверстия заменяются на прямоугольные вырезы, что должно обеспечивать более значительные изменения оптического отклика. Кроме того, данная геометрия позволит управлять не только интегральной величиной энергии отраженной электромагнитной волны, но и ее распределением в пространстве, что может быть актуально для таких приложений, как сканеры лазерного луча в лидарах. В качестве основного материала гетероструктуры в задаче используется GaAs, так как данный элемент отличается значительными изменениями оптических свойств при инжекции носителей.