ИСТИНА

Осажденное на медную подложку графеновое покрытие было облучено ионами гелия и аргона с энергией 100 кэВ. Влияние флюенса облучения на структуру графенового покрытия изучалось методами комбинационного рассеяния света. Для различных параметров ионного облучения было проведено моделирование процессов дефектообразования в графеновом покрытии методом Монте-Карло в приближении бинарных столкновений. Было показано, что переход к параметру «смещение на атом» позволяет сравнивать дефектообразование в двумерной мишени для различных параметров облучения. В работе показано, что в процессе облучения идет накопление точечных дефектов в графеновом покрытии до значений параметра «смещение на атом» близкого к величине 5*10-4, после чего начинается процесс объединения дефектных областей с последующим разрушением структуры покрытия при значениях величины «смещение на атом» в диапазоне 5*10-3 - 10-2.