ИСТИНА

Как известно, для создания современной электроники требуется разработка новых подходов к получению наноматериалов планарного типа. Среди материалов, которые широко используются в электронике, выделяются оксиды в системе In2 O3 -SnO 2 (ITO, Indium Tin Oxide), которые очень востребованы в качестве прозрачных электродов благодаря высокой электропроводности и оптической прозрачности в видимом диапазоне спектра. Покрытия ITO активно применяют в дисплеях, оптике, энергетике, газовой сенсорике и др. Одна из основных проблем при получении проводящих покрытий сейчас заключается в ограничениях классических методов (недостаточная адресность нанесения, дороговизна оборудования и высокие энергозатраты). При этом в качестве перспективных прекурсоров оксидных наноматериалов различного типа следует выделить гидролитически активные алкоксоацетилацетонаты металлов [1,2], а эффективность формирования соответствующих покрытий существенно повышается с использованием печатных технологий [2,3]. Таким образом, целью данной работы являлась разработка метода получения планарных наноструктур в системе In2 O3 -SnO 2 с применением в качестве прекурсоров гидролитически активных гетеролигандных координационных соединений металлов. В качестве прекурсоров использовались алкоксоацетилацетонаты индия и олова, синтез которых контролировался с применением спектральных методов. Раствор данных гетеролигандных комплексов в н-бутаноле применялся в качестве функциональных чернил при формировании с помощью печатных технологий тонких оксидных плёнок в системе In2 O3 -SnO2 . В объёме указанных плёнок за счёт влаги воздуха инициировался процесс гидролиза и поликонденсации прекурсоров, после чего покрытия подвергали дополнительной термообработке с целью удаления органических компонентов и кристаллизации целевых продуктов. Сформированные таким образом тонкоплёночные прозрачные электроды были изучены с применением комплекса физико-химических методов анализа.