ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Проведено численное и экспериментальное исследование структуры, геометрия которой представляет собой субволновой массив цилиндрических отверстий, вытравленных в структуре p-AlGaAs/i-GaAs/n-AlGaAs. Эта конструкция относительно проста в изготовлении. Также рассматривалась геометрия, в которой цилиндрические отверстия заменены прямоугольными вырезами, что должно обеспечить более существенные изменения оптического отклика. Кроме того, такая геометрия позволит управлять не только интегральным значением энергии отраженной электромагнитной волны, но и ее распределением в пространстве. Использование GaAs в качестве основного материала гетероструктуры обусловлено существенным изменением его оптических свойств при инжекции носителей. Изменения спектра отражения при инжекции носителей в первой геометрии наблюдаются в оптическом диапазоне электромагнитных волн вблизи λ = 580 нм. Но наибольший интерес в обеих геометриях представляет спектральная область λ = 900 нм, так как в этой области арсенид галлия приобретает свойство оптической прозрачности, а изменение показателя преломления и поглощения при инжекции носителей максимально. Также в работе было рассмотрено применение материала, изменяющего агрегатное состояние, Ge2Sb2Se5, во второй геометрии на длине волны около 1500 нм.