|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Влияние уровня легирования на вызванное освещением изменение темновой проводимости a-Si:H (As) доклад на конференции
- Авторы: Литвак Е.В., Казанский А.Г.
- Конференция : Вторая Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000")
- Даты проведения конференции: 2000
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Москва, Russia
- Добавил в систему: Казанский Андрей Георгиевич