ИСТИНА

Обсуждаются применения вращающегося магнитного поля (ВМП) в техно-логии выращивания кристаллов полупроводников из расплава методом Чо-хральского (МЧ), в том числе рассматриваются и применяются для верифи-кации результатов данной работы известные данные физического модели-рования течений электропроводящего раствора KOH в цилиндрическом тигле в ВМП. Рассматривается математическая модель гидродинамических процессов применительно к выращиванию монокристаллов кремния диа-метром 100 мм на установке РЕДМЕТ-30, оснащенной ВМП-магнитом. Приводятся результаты теста расчетного профиля азимутальной скорости с данными измерений в растворе KOH. В виде диаграммы устойчивости обобщаются результаты параметрических исследований устойчивости тече-ний расплава в зависимости от частоты и величины индукции ВМП. По-строенная диаграмма устойчивости течений включает известные асимпто-тические решения для малых и больших значений числа Гартмана, которые подтверждают расчетные результаты данной работы. Рекомендуются опти-мальные параметры ВМП для промышленного процесса выращивания МЧ-монокристаллов кремния.