ИСТИНА

Ансамбли кремниевых нанонитей (КНН) диаметром порядка 100 нм представляют большой интерес для фотоники, поскольку на их основе могут быть созданы высокоэффективные сенсоры и устройства фотовольтаики. В настоящей работе исследованы слои КНН, сформированные методом металл-стимулированного химического травления кристаллического кремния (c-Si) [1]. Ансамбли КНН демонстрируют рост коэффициента отражения в ближнем ИК и спад в видимом спектрах. Чтобы получить информацию о распространении света в ансамблях КНН, мы выполнили измерения кросс-корреляционных функций [2] фемтосекундных лазерных импульсов (длина волны 1250 нм, длительность импульса 80 фс, частота следования импульсов 80 МГц) и определили время жизни фотонов в слоях КНН. Показано, что время жизни фотонов в КНН увеличивается с увеличением толщины. Этот эффект приводит к увеличению эффективности комбинационного рассеяния света (КРС). Проведённые поляризационные измерения сигнала КРС свидетельствуют о переходе с ростом толщины слоя КНН от выраженной четырехкратной симметрии ориентационной зависимости КРС к ее изотропному виду. Показано, что распространение света в массивах КНН толщиной свыше 2 мкм имеет диффузный характер. Литература 1. Sivakov V., Christiansen S. Novel discovery of silicon// J. Nanoelectron. Optoelectron. 2012. V.7. P. 583–590. 2. Kop R.H.J., et al. Observation of anomalous transport of strongly multiple scattered light in thin disordered slabs // Phys. Rev. Lett. 1997. V.79 (22). 4369.