ИСТИНА

Co/Si/Co тонкопленочных системы были получены методом магнетронного распыления на тонкую стеклянную подложку. Толщина магнитных Co слоев была равна 5 нм, а полупроводникового Si слоя изменялась от 0.2 нм до 3.2 нм. Co/Si/Co структуры имеют плоскостную магнитную анизотропию с лёгкой осью намагничивания, совпадающей с направлением магнитного поля, приложенного в процессе напыления пленок. Зависимость поля насыщения Co/Si/Co структур от толщины полупроводникового Si слоя имеет осциллирующий характер. Период этих осцилляций порядка 2 нм. Полученные данные объяснены наличием обменного взаимодействия между магнитными слоями через полупроводниковый разделительный слой и его осцилляционным поведением с изменением толщины Si.Наличие более длинного периода осцилляций HS было объяснено влиянием квантовых размерных эффектов, проявляющихся в изменении электронной структуры ультратонкого магнитного слоя по сравнению с объемным образцом.