|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Problems of GaN and GaN devices research and development in Russia Проблемы исследований и разработок нитрида галлия и приборов на его основе в России.доклад на конференции
- Автор: Юнович А.Э.
- Конференция : Российско-немецкий семинар о проблемах применения нитрида галлия и соединений на его основе в электронике и оптоэлектронике
- Даты проведения конференции: 2012
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: Юнович А.Э.
- Место проведения: Россия, Томск, Томский Политехнический Университет, 29 февраля 2012 г., Russia
-
Аннотация доклада:
Обзор исследований и разработок нитридных полупроводников и их связи с президентской программой «Новый Свет» в России. Разработки и производство нитридных светодиодов и развитие светодиодного освещения в последние годы, их рассмотрение на Конференциях и Форумах в 2011 году. Потребление электроэнергии на освещение в России около 137 млрд. кВтчас/год; если к 2015 г. лишь половина этой энергии будет сэкономлена за счет применения светодиодов, это даст экономию более 200 млрд. руб./год. Необходима государственная программа развития светодиодной промышленности и светодиодного освещения в России.
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович