|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Светодиоды на основе наногетероструктур InGaN/AlGaN/GaN - итоги исследований и разработок последнего десятилетия (обзор)доклад на конференции
- Автор: Юнович А.Э.
- Конференция : 2-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ - электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
- Даты проведения конференции: 2012
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: Юнович А.Э.
- Место проведения: Россия, Москва, Национальный Исследовательский Ядерный Университет МИФИ, Russia
-
Аннотация доклада:
Рассмотрена технология роста нано-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN, обеспечивающая их однородность, воспроизводимость и контроль. Металло-органическая эпитаксия нитридных гетероструктур постоянно совершенствуется. Обсуждены различные подложки и условия уменьшения деформаций и плотности дислокаций в структурах. Для структур с множественными квантовыми ямами достигается внешний квантовый выход излучения до 70%. Рекордная световая отдача светодиодов белого света достигла 254 лм/Вт, что вдвое превысило значение для люминесцентных ламп. Обсуждены разработки эффективных светодиодов ультрафиолетового и желто-зеленого диапазона. Даны примеры применений светодиодных осветителей в России.
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович