ИСТИНА

Рассматривается комплекс вопросов, связанных с оптимизацией процесса выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского и процесса быстрой высокотемпературной обработки (БТО) вырезаемых пластин из этих монокристаллов. Для оптимизации температурного поля в выращиваемом монокристалле в тепловом узле монтируются специальные конструкции теплового экрана. Тепловая оптимизация конструкции такого теплового узла осуществляется на основе интегрированной тепловой математической модели. Дефектообразование рассчитывается на основе диффузионно-рекомбинационного приближения для вакансий и межузельных атомов кремния. Для процесса БТО рассчитываются профили концентрации вакансий, плотности и размер вакансионных кластеров по толщине пластины.