ИСТИНА

Обсуждается применение вращающегося магнитного поля (ВМП) в технологии выращивания кристаллов полупроводников из расплава методом Чохральского, в том числе рассматриваются и применяются для верификации результатов данной работы известные данные физического моделирования течений электропроводящего раствора KOH в цилиндрическом тигле в ВМП. Рассматривается математическая модель гидродинамических процессов применительно к выращиванию монокристаллов кремния диаметром 100 мм на установке Редмет-30, оснащенной ВМП-магнитом. Приводятся результаты теста расчетного профиля азимутальной скорости с данными измерений в растворе KOH. В виде диаграммы устойчивости обобщаются результаты параметрических исследований устойчивости течений расплава в зависимости от частоты и величины индукции ВМП.