ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
В настоящее время научными группами по всему миру идёт активная работа по получению квантовых точек (КТ) высокого качества. Под качеством прежде всего понимается высокая кристалличность, малое количество дефектов, высокие оптические и электрические характеристики. КТ CdSe занимают одно из лидирующих мест среди других по своим характеристикам. Однако ширина запрещенной зоны в CdSe ограничена величиной 1,74 эВ, что не позволяет наночастицам излучать в ИК диапазоне. Подход, который мы предлагаем в нашей работе, связан с получением высокодефектных наночастиц CdSe, обладающих интенсивной ближней ИК-люминесценцией (до 0,9 эВ) с высоким квантовым выходом, более чем в два раза превосходящим квантовый выход нелегированных КТ. В работе используется коллоидный метод синтеза, в процессе которого вводятся галогенид-ионы и серебро. Введение невысоких количеств AgHal в синтез привело к получению тетраподов. Рост количества добавленного прекурсора серебра привело к образованию больших эллипсоидных частиц и росту их доли в синтезе. В результате, при некоторой пороговой концентрации AgHal в синтезе наблюдалось полное исчезновение тетраподов. В литературе известно, что галогенид-ионы приводят к анизотропии полученного нанокристалла, а серебро крайне нестабильно в квантовых точках CdSe. Одновременное действие двух факторов как раз и привело к получению больших эллипсоидных частиц, которые образовались в результате разрушения тетраподов при высокой температуре. Спектр фотолюминесценции таких наночастиц содержит два перехода – экситонную полосу вблизи 1,8 эВ, а также низкоэнергетическую полосу с максимумов районе 1,4 эВ, связанную с дефектами структуры. Время жизни люминесценции на краю низкоэнергетической полосы достигало 9 мкс, что может быть полезно для создания инверсной заселённости на данном уровне энергии.