|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Temperature and deformation dependence of output wavelength and polarization in laser diodes based on p AlGaAs/GaAsP/n AlGaAs nonostructures.доклад на конференции
- Авторы: Bogdanov E.V., Minina N.Ya, Kolokolov K.I.
- Международная Конференция : NANOMEETING-2017. Minsk, Belarus, 30 May – 2 June, 2017
- Даты проведения конференции: 30 мая - 2 июня 2017
- Дата доклада: 31 мая 2017
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Minsk, Belarus, Belarus
-
Аннотация доклада:
Numerical calculations of the optical energy gap and the optical gains gTE, gTM of TE and TM polarization modes in p-AlxGa1-xAs/GaAs0.84P0.16/n-AlxGa1-xAs laser diode nanostructure are carried out for uniaxial compression up to P = 10 kbar along in-plane and normal to a heterostructure directions at temperature interval 77 K – 300 K.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович