ИСТИНА

Темплатное электроосаждение нанонитей кобальта различного диаметра широко описано в научной литературе как один из самых подходящих методов формирования высокоанизотропных наноструктур. Тем не менее, многие работы используют гальваностатический режим осаждения или осаждение в двухэлектродной ячейке при постоянной разнице потенциалов. Данные режимы не позволяют контролировать потенциал осаждения в процессе роста нанонитей, а, следовательно, невозможно устанавливать его влияние на кристаллографическую ориентацию формирующихся наноструктур. В данной работе для учёта омического падения потенциала в растворе электролита было предложено проводить электроосаждение в трёхэлектродной ячейке с использованием iR-компенсации. Это помогает приблизить значение измеряемого потенциала осаждения к действительному и проследить изменение текстуры нанонитей от реального перенапряжения.