ИСТИНА

Поскольку кремний является основным материалом электроники образование дефектов, возникающих в нем под действием ионного облучения, изучено достаточно хорошо. Однако, в процессе образования радиационно стимулированных дефектов в пленках кремния на сапфире могут наблюдаться некоторые особенности, связанные как с наличием резкой границы раздела между пленкой кремния и подложкой сапфира, так и с профилем внедренных частиц. Исследование проводилось в лаборатории ионно-пучковых нанотехнологий НИИЯФ МГУ на ускорительных комплексах HVEE-500 и HVEE-AN-2500 Экспериментально установлено, что полное разрушение сильнодефектной области зависит не только от энергии имплантируемых ионов, но и от температуры мишени. Рассмотрен механизм восстановления кристаллической структуры.