|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Влияние процессов каналирования и дефектообразования на профиль распределения примеси при имплантации в монокристаллыдоклад на конференции
- Авторы: Балакшин Ю.В., Черныш В.С., Назаров А.В., Шемухин А.А.
- Международная Конференция : ХLIV Mеждународная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами
- Даты проведения конференции: 2014
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Балакшин Ю.В.
- Место проведения: Москва, Russia
-
Аннотация доклада:
На базе ускорителя HVEE-500 создана экспериментальная линия позволяющая проводить ионную имплантацию и изучать создаваемые структуры методом обратного резерфордовского рассеяния в сочетании с каналированием in-situ. Проведены эксперименты по внедрению тяжелых ионов (Ar,Fe,Xe и др) в монокристаллический кремний (110) с энергиями в диапазоне 100-300 кэВ при комнатной температуре. Облучение проводилось в направлении главной кристаллографической оси <110> и в направлении не содержащем выделенных каналов. В работе изучалось влияние направления имплантации, дозы и энергии на распределение примеси и профиль образованных дефектов методом обратного резерфордовского рассеяния в сочетании с каналированием
- Добавил в систему: Балакшин Юрий Викторович