![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
В рамках данной работы осуществлена генерация терагерцевого (ТГц) излучения при накачке кристаллов BNA и DAST мощным фемтосекундным лазерным излучением системы на кристалле Cr:Forsterite (Cr:F) с длиной волны 1,24 мкм. Установлено, что уменьшение длительности импульса накачки со 100 фс (FWHM, 24 цикла поля) до 35 фс (FWHM, 9 циклов поля) приводит к генерации высокочастотных составляющих вплоть до 12 ТГц. Моделирование процесса генерации ТГц излучения с учетом дисперсионных свойств кристаллов позволило корректно описать измеренные спектры. Представленная схема может рассматриваться как альтернатива более распространенным источникам на основе кристалла Li:NbO3 или органическим кристаллам с накачкой излучением лазерных систем на кристалле Ti:Sapphire.