ИСТИНА

Целью настоящей работы является синтез и исследование высокоэнтропийных порошков и тонких пленок гексагональных ортоферритов редкоземельных элементов h-REFeO3, где RE = (Yb1/4Tm1/4Er1/4Ho1/4)1-xInx (x=0.2;0.28) и Lu1/5Yb1/5Tm1/5Er1/5Ho1/5. Для синтеза наночастиц ортоферритов использовались цитратно-нитратная методика и методика гидрокарбонатного соосаждения с последующими отжигами при 600-1000С. Получение тонких пленок гексагональных ферритов проводили методом химического осаждения из паров металлорганических соединений (MOCVD); в качестве подложек использовали монокристаллический ZrO2(Y2O3) в ориентации (111). На порошках показано, что использование комбинации смеси РЗЭ и индия приводит к увеличению стабильности гексагональной фазы при повышенных температурах. Максимальный эффект стабилизации гексагональной модификации получен для состава (Yb1/4Tm1/4Er1/4Ho1/4)0.72In0.28FeO3, что связано с оптимальным содержанием индия в данном составе. Вклад высокоэнтропийной стабилизации в гексагональных ортоферритах РЗЭ не подтвержден. Использование методики гидрокарбонатного соосаждения не выявило значимых отличий в фазообразовании гексагональных ортоферритов по сравнению с цитратно-нитратным методом. По данным рентгеновской дифракции подтверждено получение методом MOCVD тонкой эпитаксиальной пленки h-Lu1/5Yb1/5Tm1/5Er1/5Ho1/5FeO3 в ориентации (001). По данным рентгеноспектрального микроанализа показано наличие всех заложенных при синтезе РЗЭ в составе пленки в эквимолярном соотношении.