ИСТИНА

В настоящее время большой интерес представляют устройства на основе спинтроники – науки на стыке магнетизма и электроники. Нано-гетероструктуры с магнитным туннельным переходом (МТП) обычно имеют свободный слой в форме тонкого диска толщиной менее 10 нанометров и диаметром в несколько десятков. Использование спин-поляризованного тока, протекающего перпендикулярно гетероструктуре, позволяет, при определенных значениях тока, компенсировать диссипацию энергии за счет спин-трансферного эффекта и вызвать стационарную прецессию намагниченности свободного слоя. МТП-структуры такого типа называются спин-трансферными нано-осцилляторами (СТНО) и могут быть использованы в качестве источников СВЧ-излучения. Использование массивов СТНО позволяет увеличить излучаемую мощность. Важной особенностью таких гетероструктур является линейная зависимость частоты колебаний от приложенного напряжения. В данной работе исследуется влияние эллиптичности формы свободного слоя пары СТНО на качество синхронизации.