|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с двойными квантовыми ямами с различными покровными слоямидоклад на конференции
- Авторы: Сотничук М.К., Казаков А.С., Николаев И.Д., Менщиков Р.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Хохлов Д.Р., Иконников А.В.
- Всероссийская Конференция : XXV Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
- Даты проведения конференции: 27 ноября - 1 декабря 2023
- Дата доклада: 30 ноября 2023
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Сотничук М.К.
- Место проведения: Санкт-Петербург, Россия
-
Аннотация доклада:
В работе исследовано влияние покровного слоя на ключевые особенности спектров остаточной фотопроводимости в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с двойными квантовыми ямами (ДКЯ). Исследовались структуры с тремя различными покровными слоями. Показано, что материал покровного слоя определяет наличие и энергетическое положение ключевых особенностей спектров остаточной фотопроводимости ДКЯ HgTe/CdHgTe. Впервые обнаружено осцилляторное поведение проводимости таких структур в диапазоне энергий подсветки 0,85–1,6 эВ.
- Добавил в систему: Сотничук Михаил Константинович