|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Er,Yb:GdAl3(BO3)4 laser passively Q-switched by MBE-grown Cr:ZnS thin filmsдоклад на конференции
- Авторы: Yasukevich A.S., Gorbachenya K.N., Kisel V.E., Tolstik N., Karhu E., Furtula V., Kuleshov N.V., Maltsev V.V., Leonyuk N.I., Galinis A., Lipinskas T., Gibson U., Sorokina I.T., Sorokin E.
- Международная Конференция (Симпозиум) : CLEO Europe & EQEC 2017
- Даты проведения конференции: 25-29 июня 2017
- Дата доклада: 20 июня 2017
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Мюнхен, Germany
-
Аннотация доклада:
Passively Q-switched Er,Yb:GdAB laser with MBE-grown Cr:ZnS thin film saturable absorber was demonstrated for the first time to our knowledge. Optimization of the Cr2+ concentration and film thickness will result in better laser performance. Moreover, important technological aspect is that MBE growth technique allows deposition of the Cr:ZnS saturable absorber film directly onto the active crystal, thus demonstrating approach to fully integrated microchip laser emitting in the 1.5-1.6 ����m spectral region.
- Добавил в систему: Леонюк Николай Иванович