|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Molecular Dynamics Simulation Of Physical Sputtering Of Nanoporous Silicon-Based Materials With Low Energy Argonдоклад на конференции
- Авторы: Voronina E.N., Sycheva A.A.
- Международная Конференция : XXIII International Conference Ion – Surface Interactions «ISI – 2017»
- Даты проведения конференции: 21-25 августа 2017
- Дата доклада: 21 августа 2017
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Sycheva A.A.
- Место проведения: Russia
-
Аннотация доклада:
Ion-stimulated plasma treatment plays an important part in the pattering of nanoporous low-k SiOCH films developed for advanced interconnects of ULSI devices. In this work, the molecular dynamics method was applied to study physical sputtering of Si- and SiO2-based nanoporous materials under low-energy Ar irradiation. The simulation results demonstrate the differences in sputtering mechanisms for nanoporous and solid materials of the same composition.
- Добавил в систему: Сычева Анастасия Александровна