ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Представлены результаты высокоточного расчёта потенциальных поверхностей и дипольных моментов переходов для основного и низколежащих электронных состояний ван-дер-ваальсовой системы RbAr.