ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Созданы чипы-заготовки для молекулярного одноэлектронного транзистора с использованием технологии травления сфокусированным ионным пучком, характеризующейся высокой скоростью проведения процесса, воспроизводимостью результатов, снижением требований к предшествующим литографическим операциям и вполне реальными перспективами уменьшения ширины зазора. Определены оптимальные параметры по разрезанию металлической перемычки электродов, позволяющие получать зазор в 70 нм, приемлемый для дальнейших операций по формированию системы «нависающих» электродов.