ИСТИНА

Исследованы эпитаксиальные тонкие пленки SrIrO3 толщиной 11-53 нм, выращенные методом высокочастотного катодного распыления на подложках SrTiO3 при различном парциальном давлении газовой смеси Ar/O2 в диапазоне 0.25-0.75 мбар. Рентгеноструктурный анализ выявил формирование значительных механических напряжений и деформацию решетки пленок. Установлен переход от металлического к полупроводниковому поведению проводимости в диапазоне температур 77-300 К с уменьшением толщины, обусловленный изменением параметров носителей заряда и электрон-магнонного рассеяния. Обнаружена корреляция между структурным совершенством и электронным транспортом, определяемая степенью релаксации напряжений. Показано, что варьирование парциального давления газовой смеси позволяет контролировать электронные свойства пленок. Полученные результаты создают основу для разработки функциональных оксидных гетероструктур с управляемыми характеристиками для применений в спинтронике.