ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Экспериментально изучены мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктуры AlGaAs/InGaAsP/InGaAs с квантовой ямой и асимметричным расширенным волноводом. Предложена физическая модель, объясняющая изменение их излучательных характеристик с течением времени наработки.