|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Влияние вынужденного комбинационного рассеяния света на частоту линии диода, затянутого на частоту микрорезонаторадоклад на конференции
- Авторы: Голодухина А.Н., Шитиков А.Е.
- Международная Конференция : 32-я Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2025»
- Даты проведения конференции: 11-25 апреля 2025
- Дата доклада: 15 апреля 2025
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Москва, Россия
-
Аннотация доклада:
В нашей работе выявлено существенное влияние генерации вынужденного рамановского рассеяния на эффективность затягивания частоты лазерного диода на частоту микрорезонатора. Данный нелинейный процесс приводит к значительному увеличению ширины линии затянутого диода, но может быть ослаблен путем уменьшения мощности накачки до выхода из нелинейного режима.
- Добавил в систему: Голодухина Алина Николаевна