![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Представлены оригинальные методы изготовления и проведен анализ экспериментального исследования высокочувствительных полевых и зарядовых сенсоров на основе кремниевых нанопроводов. Полевые транзисторы с каналом-нанопроводом изготавливались из кремния на изоляторе с толщиной верхнего кремниевого слоя 110 нм традиционными для полупроводниковой электроники методами электронной литографии и реактивно-ионного травления. Разработана технология изготовления полевых сенсоров для проведения биоспецифических и локальных исследований. Продемонстрирован локальный полевой зонд с чувствительным элементом в виде полупроводникового нанопровода, расположенного на нанометровом расстоянии от острия зонда, обладающий высоким пространственным разрешением. Разработаны и исследованы высокочувствительные биосенсоры на основе транзисторов с каналом-нанопроводом. Продемонстрирована их высокая чувствительность к рН и белковым комплексам.