ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Доклад посвящен обзору основных результатов, связанных с необычными локальными электронными состояниями, обнаруженными в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца. Показано, что, в отличие от традиционных примесных состояний, имеющих вполне определенное положение в энергетическом спектре материала, рассматриваемые локальные электронные состояния «привязаны» к положению квазиуровня Ферми и смещаются вместе с ним. Рассмотрена зависимость плотности этих состояний от состава сплава, магнитного поля и протекающего тока. Показано, что рассматриваемые локальные электронные состояния отвечают за появление задержанной фотопроводимости в терагерцовой спектральной области. Продемонстрированы возможности практического использования данных материалов для создания высокочувствительных приемников терагерцового излучения.