ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
В настоящей работе предложено вместо набора образцов для построения “кривых роста” использовать лишь один образец и строить зависимости интенсивности линий от длины оптического пути в плазме. Для реализации такого подхода получали протяженную плазму, наиболее однородную по параметрам вдоль своей длинной оси, при фокусировке лазерного излучения в линию с помощью цилиндрической линзы. Протяженную плазму наблюдали “с конца”, а ее длину варьировали с помощью апертурной диафрагмы и измеряли по отпечатку лазерного пятна на поверхности образца магниевого сплава. Это позволило использовать модель однородного источника для аппроксимации экспериментальных данных, и вычислить объемные концентрации элементов в плазме в определенный временной момент ее эволюции. Объемные концентрации были соотнесены с массовыми содержаниями элементов в образце, отклонение от паспортных значений составило до 25 % в зависимости от определяемого элемента.