ИСТИНА

Важной задачей современного материаловедения является разработка подходов для контролируемого формирования рельефа поверхности, особенности которого играют значительную роль в поверхностных явлениях, таких как смачивание, адсорбция, адгезия и др. Особый интерес представляют пленки фотохромных холестериков, так как в данных материалах реализуется уникальная спиральная надмолекулярная структура, которой можно управлять воздействием света, вызывая существенные изменения оптических свойств и топографии поверхности. В работе методом атомно-силовой микроскопии впервые исследовалось влияние УФ-облучения и термической предыстории на формирование рельефа поверхности холестерических пленок циклосилоксановых олигомеров, содержащих хирально-фотохромные допанты на основе изосорбида и ментона. Под действием УФ-облучения происходит фотоизомеризация хирально-фотохромных допантов, которая приводит к изменению шага холестерической спирали в объеме образца и периода рельефа, наблюдаемого на его поверхности. Было обнаружено два типа топографии пленок: рельеф «отпечатки пальцев» и домены в виде двойных спиралей. При уменьшении шага холестерической спирали в результате УФ-облучения наблюдалась смена типа топографии и формирование доменов. Строение доменов дополнительно было изучено методом просвечивающей электронной микроскопии тонких срезов пленок. Показано, что появление доменов на поверхности пленки связано с изменением ориентации оси холестерической спирали в объеме образца, причиной которой является необходимость удовлетворения гомеотропным граничным условия поля директора на границе пленки холестерика с воздухом. В работе показано, что форма и высота доменов определяются скоростью охлаждения пленок после отжига. Для объяснения этого явления предложен механизм, включающий течение материала, вызванное раскручиванием холестерической спирали при медленном охлаждении пленок.Результаты работы демонстрируют новые возможности управления рельефом поверхности холестерических пленок циклосилоксановых олигомеров путем УФ-облучения и варьирования режима отжига.