ИСТИНА

Исследована генерация терагерцового излучения в эпитаксиальных пленках In0.5Ga0.5As при облучении пикосекундными и фемтосекундными импульсами волоконного Er3+ (длина волны 1.56 мкм) и титан-сапфирового лазеров (0.8 мкм), соответственно. Пленки толщиной 0.66 мкм были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентациями поверхностей (100) и (111)A в разных режимах: в низкотемпературном при температуре 200oC (low temperature – LT) и в высокотемпературном при 450oC (high temperature - HT). Также были исследованы LT-образцы, легированные кремнием. Для согласования параметров кристаллических решеток пленок In0.5Ga0.5As с подложками GaAs выращивался метаморфный буфер InxGa1-xAs с постепенно возрастающей долей индия. На поверхность пленок были нанесены электроды в форме двух спиральных антенн с зазором 20 мкм между ними. Показано, что эффективность генерации излучения слоями LT-InGaAs на подложках GaAs (111)A в 3–4 раз эффективнее, чем на подложках GaAs (100). Измеренная холловская подвижность электронов в пленках тем меньше, чем больше амплитуда генерируемого терагерцового импульса. Наблюдаемый эффект связывается с увеличением числа заряженных дефектов As+Ga. Установлено, что как высокотемпературные условия роста, так и легирование кремнием приводят к существенному снижению интенсивности генерируемого терагерцового излучения. Измерена характерная зависимость мощности генерируемого терагерцового поля от напряжения смещения Ubias, определены предельно допустимые пороговые значения Ubias.