ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
В настоящей работе исследуются гетероструктуры Si/Si1-xGex/Si II типа, то есть такие, в которых напряженный слой Si1-xGex образует на зонной диаграмме довольно глубокую потенциальную яму для дырок и невысокий барьер для электронов, высота которого растет с увеличением содержания германия x. В работе моделируется поведение волновых функций носителей заряда при изменении параметров барьера.