ИСТИНА

В докладе представлены результаты детального исследования начальной стадии адсорбции единичных атомов Со на реконструированную поверхность Ge(111)2×1 с помощью сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС) в сочетании с методами моделирования в рамках теории функционала плотности (ТФП). Ключевой особен-ностью данного исследования является экспериментальное наблюдение как неразрушающей имплантации единичных атомов Со в подповерхностные слои Ge(111), так и одновременное формирование подповерхностных металлических наноструктур пониженной размерности. В рамках ТФП предложена модель описывающая адсорбцию атомов Со на по-верхность Ge(111)2×1 и его последующую имплантацию в подповерхностные слои Ge.