|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Особенности моделирования полупроводниковых лазеров с широким контактомдоклад на конференции
- Автор: Ржанов А.Г.
- Международная Конференция (Симпозиум) : XI Международный симпозиум по фотонному эхо и когерентной спектроскопии (ФЭКС - 2017)
- Даты проведения конференции: 16-21 сентября 2017
- Дата доклада: 17 сентября 2017
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: Ржанов А.Г.
- Место проведения: Светлогорск, Russia
-
Аннотация доклада:
В докладе рассматриваются аспекты математического расчёта динамики и статики излучения мощных полупроводниковых лазерных диодов. Поясняются основные физические механизмы, влияющие на мощность, спектральный состав, дальнее и ближнее поле излучения лазеров. Излагается динамическая распределённая модель полупроводникового лазера с широким контактом и возможности её реализации.
- Добавил в систему: Ржанов Алексей Георгиевич