ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
При производстве интегральных схем (ИС) важной задачей является контроль таких структурных характеристик наносимых материалов, как их толщина, состав и плотность. Метод определения соответствующих параметров должен быть недеструктивным и позволять проводить локальное определение параметров тонких пленок (на площадях менее 100 мкм2). Метод локального рентгеноспектрального микроанализа (ЛРСМА) является перспективным в данном направлении, так как теоретически позволяет определять все вышеперечисленные характеристики. В качестве детектора в методе ЛРСМА могут использоваться детекторы с дисперсией по энергии (EDX) или с дисперсией по длине волны рентгеновского излучения (WDS) [1]. В процессе контроля качества наносимых слоев при производстве ИС экспрессность определения структурных характеристик слоев является немаловажным параметром, что не позволяет использовать детекторы с дисперсией по длине волны. На данный момент в литературе описан ряд методик, позволяющих оценивать толщину тонких пленок [2-5]. Эти методики основываются на определение k-факторов [2], введении «эффективных гомогенных» слоев [3], изменении соотношения интенсивностей сигналов элементов анализируемого слоя и подложки [4] и интенсивности сигнала от элементов подложки [5]. К недостаткам данных методик можно отнести необходимость в наличии стандартных образцов [2], низкой точности получаемых результатов [3] и применимость только к одноэлементным пленкам [5]. В связи с этим ранее нами была предложена методика определения толщины и плотности тонких пленок, не обладающая вышеописанными недостатками [6]. Отдельно стоит отметить, что во всех описываемых работах не учитывали зарядку исследуемого образца в ходе эксперимента. Наиболее простым способом устранения зарядки поверхности является нанесение на анализируемую поверхность тонкого проводящего слоя из благородных металлов или углерода [1]. В связи с этим, целью данной работы является определение влияния токопроводящего покрытия из вольфрама различной толщины на определение структурных характеристик пленок диоксида кремния.