ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Радиационная технология на основе ускоренных электронов может быть эффективно применена на различных этапах изготовления традиционных и инновационных изделий микро-, нано-, опто- и силовой электроники и прогнозирования их работы в радиационной среде. В работе приведены оригинальные экспериментальные результаты, демонстрирующие широкие возможности обработки ускоренными электронами с энергией 5÷8 МэВ при решении конкретных задач технологического, испытательного и отбраковочного характера, направленных на создание отечественных твердотельных электронных приборов с наилучшими электрическими параметрами. Реализована технология прецизионного регулирования характеристик кремниевых высоковольтных тиристоров (Т273-1250-44; Т643-320-65; Т353-800-35) посредством разбиения партий полупроводниковых элементов на группы и контроля времени обратного восстановления на диодах-спутниках в процессе облучения, позволяющие в массовых партиях снизить разброс импульсного напряжения в открытом состоянии UTM до величин не более ±0,05 В при разбросе заряда обратного восстановления QRR не более 5%.