ИСТИНА

В связи с ростом мощности преобразовательных устройств силовой полупроводниковой электроники все более востребованными сегодня становятся высоковольтные и сильноточные тиристоры, адаптированные для применения в последовательном и/или параллельном соединениях. Тиристоры, комплектующие параллельные сборки должны иметь высокую идентичность ВАХ во включенном состоянии, тиристоры для применения в последовательных сборках - высокую идентичность характеристик обратного восстановления. Общим требованием для всех этих применений является наличие идентичных и, желательно, минимизированных температурных зависимостей указанных характеристик. Одной из эффективных технологий точного регулирования времени жизни носителей заряда и, следовательно прецизионной подгонки параметров тиристоров, от него зависящих, является облучение ускоренными электронами. Снижение времени жизни неосновных носителей заряда в базе прибора, происходит за счет внедрения туда радиационных дефектов. Одним из перспективных является разработанный метод прямого измерения времени жизни неосновных носителей заряда на сопровождающих облучаемые объекты кремниевых кристаллах-спутниках. Разброс величин падения напряжения во включенном состоянии после проведения операций прецизионного облучения составляет менее ±0,05 В, что облегчает согласование работы тиристоров в параллельном соединении, если это требуется.