![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
В сфере нанотехнологий знание процессов рассеяния для системы Si и O в широком диапазоне энергий могут быть использованы в задаче плазменного осаждения SiO2 пленок и при взаимодействии атомов кислорода в режиме травления резиста с новыми диэлектрическими SiOHC материалами с низкой константой диэлектрической проницаемости. Первым этапом вычислений является получение потенциала взаимодействия между Si и O из первых принципов квантовой механики. Далее проводился расчет фазовых сдвигов на основе решения уравнения Шредингера с последующим анализом асимптотического поведения волновой функции. По полученным сдвигам фаз рассчитывались дифференциальное, интегральное и транспортное сечения рассеяния.