ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
В докладе представлены результаты детального исследования атомной и электронной структуры нанометовых Co/Ge островков, формируемых на поверхности Ge(111)с(2×8) в результате твердотельной реакции атомов Co и поверхностных атомов Ge. Основываясь на данных сканирующей туннельной микроскопии и результатах численного моделирования в рамках теории функционала плотности, впервые предложена атомная модель, описывающая поверхностную ре-конструкцию Co/Ge(111)Roo(13)×Root(13)R13.9.