|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Принципы квантовой теория твердого тела.учебный курс
- Автор: Тиходеев С.Г.
- Год создания: 2017
- Организация: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Описание: План спецкурса 1. Основные типы межатомных связей в твердых телах, ковалентные или гомополярные связи 2. Основные типы межатомных связей в твердых телах, ионные или гетерополярные связи 3. Основные типы межатомных связей в твердых телах, смешанные связи 4. Кристаллическая структура, ячейка Вигнера-Зейтца, точечные группы, основные кристаллические структуры (каменной соли, алмаза, цинковой обманки, вюртцита) 5. Обратная решетка, зона Бриллюэна, примеры для основных типов кристаллических структур 6. Моноатомная и двухатомная цепочки атомов, основные типы фононов в одномерном случае и в случае объемного кристалла 7. Оптические фононы и фонон-поляритоны 8. Электроны в периодическом потенциале, теорема Блоха. Приближение почти свободных электронов или пустой решетки в 1Д, 2Д и 3Д. 9. Электроны в периодическом потенциале, дисперсия электронов, эффективная масса и kp приближение, связь эффективной массы и ширины запрещенной зоны. 10. Особенности зонной структуры основных полупроводников (кремний, германий, GaAs, InP, GaN), сплавных и аморфных полупроводников 11. Влияние напряжений на зонную структуру. 12. Плотность электронных состояний. 13. Свободные носители тока в полупроводниках, невырожденный и вырожденный газ носителей, распределение Ферми-Дирака, собственные носители, закон действующих масс, положение уровня Ферми 14. Электронные состояния дефектов в полупроводниках: мелкие примеси и легирование. Доноры, энергия ионизации, положение уровня Ферми, вымораживание носителей. 15. Электронные состояния дефектов в полупроводниках: мелкие примеси и легирование. Акцепторы, компенсация донорами. 16. Электронные состояния дефектов в полупроводниках: сильное легирование, переход Мотта, квазиуровни Ферми. Глубокие уровни. 17. Осцилляции Блоха в постоянном электрическом поле. Перенос заряда в слабом электрическом поле, проводимость, подвижность, основные процессы рассеяния. 18. Эффект Холла 19. Перенос заряда в сильном электрическом поле, насыщение дрейфовой скорости, отрицательное дифференциальное сопротивление 20. Закон Снеллиуса, полное внутреннее отражение, эффект Брюстера. 21. Электрон-фотонное взаимодействие и поглощение света в прямозонном полупроводнике, спектр поглощения без учета электрон-дырочных корреляций, совместная плотность состояний, особенности ван-Хова. 22. Непрямые оптические переходы с участием фононов 23. Свободные экситоны, связанные экситоны, биэкситоны 24. Экситон-поляритоны 25. Фонон-поляритоны, полоса остаточного излучения 26. Рекомбинация, спонтанная и вынужденная эмиссия фотона, связь с поглощением света. Лазерный режим и инверсия населенности 27. Рекомбинация экситонов 28. Оже-рекомбинация
- Добавил в систему: Тиходеев Сергей Григорьевич