Аннотация:Представленная работа посвящена исследование влияния условий роста и отжига на морфологию кристаллов цинкита (ZnO). Это хорошо известный материал, который широко используется в самых различных областях промышленности и техники. Сочетание таких физических и химических характеристик, как анизотропная кристаллическая структура, люминесцентные свойства, фоточувствительность, радиационная стойкость, фотопроводимость, амфотерные химические свойства и т.д. делают этот материал поистине уникальным. Монокристаллы цинкита могут использоваться в аппаратуре для контроля степени напряженности механических конструкций, при измерениях переменных и квазистатических давлений, в дефектоскопии в широком диапазоне температур, в производстве световодов, газовых сенсоров и УФ-лазеров. В последнее время цинкит по своим кристаллохимическим характеристикам рассматривается также в качестве эффективной альтернативной подложки для гетероэпитаксиального наращивания тонких пленок нитрида галлия (GaN) — одного из самых популярных полупроводников.