|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Фотоэлектрические свойства твердых раcтворов In1-xGaxTe и InTe1-xSex.дипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Богданов Е.В.
- Автор: Бабкин С.А.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2000
- Аннотация: На полупроводниковых образцах твердых раcтворов In1-xGaxTe и InTe1-xSex в широком интервале температур выполнены измерения сопротивления, фотопроводимости, а также сняты вольт-амперные характеристики. При температурах ниже 90-100 К наблюдался значительный сигнал фотопроводимости, а при температурах ниже 140-150 К - эффект переключения образцов сильным электрическим полем в долгоживущее низкоомное состояние. Наблюдение законов Мотта свидетельствует о существенности процессов локализации в исследованных материалах.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович